SEMI-e 深圳国际半导体展 SEMI-e 第六届深圳国际半导体技术暨应用展览会将持续产业核心技术和发展前沿，向20多个应用领域提供一站式采购与技术交流平台。 4月24日，杭州市创业投资协会联合微链共同发布了《2024杭州独角兽&准独角兽企业榜单》。在本次评选中，未来+孵化企业——杭州乾晶半导体有限公司以其在半导体技术领域的不断突破性创新以及卓越的经营业绩，被授予为“杭州准独角兽企业”！ 两天后，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院-乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）传出喜讯：经过近两年的努力，联合实验室首次生长出厚度达100 mm的超厚碳化硅单晶！ 碳化硅单晶的厚度一般约为15-30 mm，联合实验室成功生长的碳化硅单晶直径为6英寸（即150 mm），厚度突破了100 mm，有什么好处呢？受制于碳化硅衬底成本居高不下，使得半导体碳化硅技术的大规模推广和应用受到了不同程度的阻碍。想要降低碳化硅衬底的成本，主要得从碳化硅单晶入手。价格昂贵的碳化硅衬底是利用切、磨、抛等工艺加工碳化硅单晶而得。如果生长出更厚的碳化硅单晶，那不仅能减少籽晶的用量，缩短单位厚度晶体的生长时间、提高生产效率，还能减少能耗和辅材用量，从而显著降低碳化硅衬底的成本。 杭州乾晶半导体有限公司 公司2020年7月成立于浙江大学杭州国际科创中心，专注于第三代半导体材料领域，是一家集半导体碳化硅单晶生长、晶片加工和设备开发为一体的高新技术企业。公司的核心团队来自于浙江大学硅材料国家重点实验室，与浙大科创中心先进半导体研究院成立联合实验室共同承担SiC材料的产业化任务，力争在三到五年内打造成为国际知名的第三代半导体材料品牌和标杆企业，为第三代半导体产业提供有力支撑。 杭州乾晶半导体有限公司，致力于为上述领域的国内外客户，提供高品质、低成本的SiC衬底产品，同时也为国内外同行提供高质量的半导体衬底材料解决方案，包括但不限于晶片代加工服务，晶片和晶体检测服务等。此外，乾晶半导体也将于6月26-28日出席SEMI-e第六届深圳国际半导体展，作为行业新兴科技力量展示其研发实力及品牌影响力，助力我国第三代半导体产业的发展。 展品推荐 01 6英寸导电型4H-SiC衬底 直径：(150 ± 0.2) mm 厚度：(350 ± 25) μm 导电类型：n-type 晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度 微管密度：≤0.1 /cm2 位错密度： TSD≤100/cm2 ; BPD≤500/cm2 应用方向：SiC SBD 或者SiC MOSFET 产品类型：抛光片（Epi-ready）02 8英寸导电型4H-SiC衬底 直径：(200.0± 0.2) mm 厚度：(500 ± 25) μm 导电类型：n-type 晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度 微管密度：≤0.2 /cm2 位错密度：TSD≤300/cm2 ; BPD≤1000/cm2 应用方向： SiC SBD 或者SiC MOSFET 产品类型：抛光片（Epi-ready）03 6英寸导电型碳化硅晶锭 配料：酸奶、各种水果、吐司 直径：(150 ± 0.25) mm 厚度：10~20mm 导电类型：n-type 晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度 产品类型：晶锭 04 8英寸导电型碳化硅晶锭 配料：酸奶、各种水果、吐司 直径：(200.0± 0.2) mm 厚度：10 ~ 20 mm 导电类型：n-type 晶面取向：(0001) 向 [11-2 0]偏4度 产品类型：晶锭 展位号：6号馆 6O18 ⌈杭州乾晶半导体有限公司 邀您莅临展位现场参观交流⌋ 同期高峰论坛 第五届第三代半导体产业发展高峰论坛 2024汽车半导体产业大会暨展示会 第六届半导体产业技术高峰会 SEMl-e诚邀海内外业界企业共赴盛会、共襄盛世！欢迎您来电垂询，共谋发展新格局！！！ 参展咨询：王小姐 参展咨询：贾小姐 市场合作：谭小姐 ⬇⬇⬇ ✦ 往期推荐 SEMI-e深圳国际半导体展6月袭来 规模再升级 参展企业超800家 华为、华天、长电、上海华力等头部企业6月汇聚SEMI-e第六届深圳半导体展 劳恩科技为智造而来 专注传感控制生态 邀您莅临SEMI-e半导体展