SK hynix 决定投资20万亿韩元（约合145亿美元）在韩国清州市建设一座全新的DRAM封装厂。 经过 SK hynix 董事会的批准，新的DRAM封装厂——M15X厂，将紧邻现有的M15厂，并专门用于生产HBM芯片。预计该厂将于4月底启动建设，并有望在明年11月前竣工并投入量产。 SK hynix 透露，M15X厂的建设成本将达到5.3万亿韩元，而在完工后，公司还将至少投入15万亿韩元用于设备采购， 整体投资规模高达20万亿韩元 。作为人工智能存储器领域的全球领导者，SK 海力士希望通过扩大投资来振兴国内经济，同时刷新韩国作为半导体强国的声誉。 就整个 SK 集团而言，SK hynix 的投资是其整个国内投资的主要支柱。自2012年并入SK集团以来，SK hynix 根据其“未来愿景”计划，自2014年起已累计投资46万亿韩元，在韩国新建三座晶圆厂——利川M14晶圆厂、2018年清州M15晶圆厂和2021年利川M16晶圆厂。 SK hynix 在2022年曾计划投资15万亿韩元在M15厂旁边建设M15X厂，以生产NAND Flash芯片。然而，由于全球经济形势不佳，消费需求受到冲击，导致NAND Flash芯片价格暴跌，该计划被迫搁置。 与NAND Flash芯片主要用于消费电子设备不同，DRAM芯片因AI市场的快速发展而需求大增。特别是SK海力士为英伟达供应的HBM芯片更是供不应求。 SK h yn ix 预计，未来几年 HBM芯片的需求将以每年60%的增长率持续扩大 ，因此，扩张产能成为当前的迫切任务。另外，该公司还预测，在用于服务器的大容量 DDR5 模块产品的带动下，普通 DRAM 的需求将稳步上升。 由于 HBM 需要至少两倍于普通 DRAM 产品的生产能力才能保证同样的产量 ，因此 SK hynix 决定，提高 DRAM 能力，重点发展 HBM 是未来发展的先决条件。 SK hynix 计划在 2027 年上半年龙仁半导体集群的第一座工厂竣工之前，在清州的 M15X 工厂生产新型 DRAM。M15X 位于 M15 工厂附近，而 M15 工厂一直在扩大 TSV 生产能力，因此最适合优化 HBM 生产。此外，SK hynix 还将按计划进行其他国内投资，包括龙仁半导体产业园，并承诺将向该产业园注入约 120 万亿韩元，建设4座厂房。 龙仁项目正在加速推进，基础工程的进度已达到 26%，比目标快 3%。包括土地补偿程序和文化财产调查在内的主要准备工作已经完成，从水电到道路等基础设施的建设也在加速。公司计划于明年 3 月开始建设位于龙仁的第一座工厂，并于 2027 年 5 月竣工。 免责声明：文章内容由微电子制造综合，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月12-13日—苏州 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖