第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）将于2024年11月6日至8日在中国·深圳坪山格兰云天国际酒店隆重举行。本次会议以“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”为主题，将设置大会报告、专场报告、口头报告、海报展示、新产品新技术展览等多种形式，聚焦宽禁带半导体（SiC，GaN，Ga2O3，AlN，Diamond）相关材料、器件、模块及前沿应用跨学科、多主题，针对全球行业发展焦点、热点、痛点，汇聚全球知名专家学者、企业领袖、行业精英，共同交流宽禁带半导体材料发展的前沿技术成果和最新市场动态，畅享全球技术应用新思路、新赛道，交换产业前瞻新观察、新观点。会议信息/ APCSCRM 2024 Information一、会议名称/Name：“芯时代开放创新·芯机遇合作发展”——第五届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2024）Open·Innovation·Collaborative Development——the 5th Asia-Pacific Conference on Silicon Carbide and Related Materials (APCSCRM 2024)二、会议时间地点/Date&Venue:2024.11.6—11.8中国·深圳，深圳坪山格兰云天国际酒店Grand Skylight International Hotel,Shenzhen, Guangdong,China三、会议网址/Website:https://apcscrm2024.casconf.cn/去官网查看会议更多信息！四、组织机构/Organization:五、会议安排/Schedule：五、报名参会/Register：扫码立刻报名Scan to Register会议委员会/ APCSCRM 2024 Committee大会联合主席/ General Assembly Co-Chairs陈小龙/Xiaolong CHEN中国科学院物理研究所/研究员；北京天科合达半导体股份有限公司/首席科学家；宽禁带半导体技术创新联盟/理事长Institute of Physics,CAS， Researcher；Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist；Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/PresidentKevin J . CHEN香港科技大学，首席教授，中国香港The Hong Kong University of Science and Technology ，Chair Professor, Hong Kong, ChinaDaniela Gogova林雪平大学，首席研究员，保加利亚Linköping University，Principal Research Engineer， Bulgaria顾问委员会/ Advisory committeeHiroshi Kanazawa、Noriyuki IWAMURO、Won-Jae LEE、Guo-quan LU、Josef LUTZ、Gourab MAJUMDAR、Tadatomo SUGA、Katsuaki SUGANUMA、Toru UJIHARA、郝跃、江风益、李树深、刘明、刘胜、刘益春、罗毅、彭练矛、田永君、屠海令、王占国、杨德仁、叶志镇、俞大鹏、张跃、郑婉华、郑有炓、祝宁华、祝世宁、邹广田组织委员会/ Organizing committeeAndy、Manabu ARAI、Tony Chau、Hsien-Chin CHIU、Poshun CHIU、Andy Chuang、Yasuto HIJIKATA、Lee Kung-Ye、Chi Chung Ling 、Teng LONG、Li LongZheng、Hideharu MATSUURA、Tokuyasu MIZUHARA、Chulmin OH、Noboru OHTANI、Norbert Pluschke、Man Hoi Wong 、Liang Wu、Hidekazu YOKOO、敖金平、柏松、陈弘达、丛茂杰、董博宇、郭丽伟、郝建民、贾志泰、金鹏、于彤军、马雷、李晋闽、李忠辉、李泠、林健、刘冰冰、刘国友、刘建利、刘锋、龙世兵、陆海、马琰铭、马晓华、潘林、皮孝东、秦明礼、沈波、唐为华、陶绪堂、万玉喜、王宏兴、王燕、温旭辉、徐科、杨媛、杨小天、杨霏、于洪宇、张源涛、张清纯、郑雪峰、仲正、朱嘉琦程序委员会/ Procedure committee主席：彭同华 (天科合达 董事/常务副总经理)副主席：刘祎晨、曾江、王文军、许恒宇委员：陈炳安、陈蛟、陈天宇、邓小川、冯淦、高冰、关赫、郭辉、郭建刚、郭清、郭钰、韩景瑞、和巍巍、侯喜锋、黄志伟、霍永隽、吉丽霞、贾强、贾仁需、金锐、金士锋、孔令沂、雷光寅、李辉、李赟、梁琳、刘春俊、刘南柳、娄艳芳、梅云辉、倪炜江、宁圃奇、钮应喜、潘建宇、潘尧波、任泽阳、史慧玲、宋波、宋华平、汤益丹、王晨曦、王东萃、王刚、王蓉、王伟达、王英民、魏进、徐永宽、许照原、闫方亮、杨恒、杨树、应天平、袁俊、曾正、张峰、张国强、张瑾、张楠、张星、张旭芳、张泽盛、张紫辉、赵鹏、郑红军、郑伟、郑泽东、钟蓉*（以上排名均按姓氏首字母排序）（Alphabetically by surname）部分参会嘉宾/ Part of Guests 郝 跃 / Yue HAO中国科学院院士，西安电子科技大学，教授Academician of Chinese Academy of Sciences；Xidian University，professor，China 刘 胜 / Sheng Liu 中国科学院院士，武汉大学，教授Academician of Chinese Academy of Sciences;Wuhan university，professor， China陈小龙 /Xiaolong CHEN 中国科学院物理研究所，研究员；北京天科合达半导体股份有限公司，首席科学家；宽禁带半导体技术创新联盟，理事长Institute of Physics,CAS， Researcher；Beijing TanKeBlue Semiconductor Co., Ltd. ,Chief Scientist；Innovation Association of Wide Bandgap Semiconductor Technology (IAWBS)/President Kevin J . CHEN 香港科技大学，首席教授，中国香港The Hong Kong University of Science and Technology ，Chair Professor, Hong Kong, China报告题目：异质宽禁带半导体功率电子技术Topic：Heterogenous Wide-Bandgap Semiconductor Power ElectronicsHsien-Chin CHIU 长庚大学，教授，中国台湾Chang Gung University，Professor，Taiwan， China报告题目：高效 PSU 和射频放大器应用对硅基氮化镓电子器件的性能需求Topic：The Performance Demands to GaN on Si Electronics devices for High Efficiency PSU and RF Amplifiers ApplicationsDaniela Gogova 林雪平大学，首席研究员，保加利亚Linköping University，Principal Research Engineer， Bulgaria报告题目：开发新一代大功率 Ga2O3材料Topic：Developing next generation high-power Ga2O3 materialVinod Nair Halo Industries,Inc.，销售总监，美国Halo Industries,Inc.，Head Sales and Marketing，AmericaYI HE 3M，电子与材料部全球实验室主任，美国3M Electronics & Materials Solutions Division Global Laboratory Director,America报告题目：3M 解决方案如何提高 SiC 工艺的产量、稳定性和成本拥有率Topic：How 3M solution improve yield, stability and cost ownership for SiC processYasuto HIJIKATA 琦玉大学 ，教授，日本Saitama University，Professor，Japan报告题目：一种嵌入MOS接口色心的SiC单光子发射器件Topic：A SiC Single-Photon Emitting Device Embedded with the MOS Interface Color CentersNoriyuki IWAMURO 筑波大学 ，教授，日本University of Tsukuba，Professor，Japan报告题目：SiC MOSFETs 研究进展Topic：Recent Progress of SiC MOSFETsHiroshi KanazawaResonac Corporation，SiC研发部总监，日本Resonac Corporation，Head of SiC Research and Development Department，Japan报告题目：Resonac SiC外延片研发综述Topic：Review for Resonac’s SiC Epiwafer DevelopmentJIANBO LIANG 大阪公立大学，教授，中国Osaka Metropolitan University，Professor，China 报告题目：3C-SiC与多晶金刚石的直接键合技术在高功率GaN器件中的应用Topic：Direct bonding of 3C-SiC and polycrystalline diamond for high-power GaN device applicationsFrancis Chi-Chung LING 香港大学，副教授，中国香港THE UNIVERSITY OF HONG KONG，Associate Professor，Hongkong，China 报告题目：SiC 器件的缺陷工程Topic：Defect engineering of SiC devicesJosef LUTZ开姆尼兹工业大学，教授，德国Chemnitz University of Technology，Professor，Germany 报告题目：SiC MOSFET 体二极管的开关行为和坚固性Topic：The SiC MOSFET body diode switching behavior and ruggednessGourab MAJUMDAR 三菱电机，日本Mitsubishi Electric Corporation，JapanVinod Nair Halo Industries,Inc.，销售总监，美国Halo Industries,Inc.，Head Sales and Marketing，Ame 参考资料： 深圳国际半导体展 SEMI-e举办地区：广东展会日期：2025年09月10日-2025年09月12日开闭馆时间：09:00-18:00举办地址：深圳市宝安区福海街道和平社区展城路1号展览面积：60000观众数量：50000举办周期：1年1届主办单位：中国通信工业协会、深圳市半导体行业协会