SK海力士成功开发并通过NVIDIA测试的HBM3E内存，计划3月开始大规模生产并供应给NVIDIA。相较于竞争对手，SK海力士进度领先，此合作预计将推动AI芯片市场发展。 根据外媒Moneytoday报道，韩国内存制造巨头SK海力士在1月中旬圆满完成了HBM3E（第三代高带宽内存）的开发工作。经过与NVIDIA长达半年的性能评估，该产品已经顺利通过了测试。SK海力士计划从3月开始大规模生产第五代HBM3E高频宽内存产品，并预计在下个月开始向NVIDIA供应首批产品。 半导体产品的开发通常包含九个阶段，从Phase 1到Phase 9。目前，SK海力士已经完成了所有阶段的开发工作，并进入了最后的增产阶段。这意味着从现在开始，所有生产的HBM3E产品都可以直接交付给NVIDIA。 除了SK海力士，其竞争对手如三星电子和美光也向NVIDIA提供了HBM3E样品。然而，这两家公司要到3月份才会开始最终的产品品质认证测试，以确保产品符合出货质量要求。这意味着相较于SK海力士，它们的进度至少落后了两个月。 据报道，这批HBM3E将用于NVIDIA下一代Blackwell系列AI芯片旗舰产品B100上。NVIDIA计划于2024年第二季度末或第三季度初推出这一系列产品。鉴于NVIDIA在AI GPU市场占据超过90%的市场份额，而SK海力士在全球HBM市场拥有超过一半的份额，并完全垄断了128GB DDR5这类大容量DRAM产品市场，双方的合作被市场普遍看好，预计将推动AI芯片市场的进一步发展。 免责声明：文章内容由微电子制造综合整理，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月—苏州 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖