三星电子旗下芯片代工部门宣布与 Arm 合作，共同开发、优化下一代 Cortex-X 核心。 据介绍，此次合作涉及通过使用 Arm 最新 Cortex-X 设计和三星 GAA 工艺，旨在提升 CPU 性能和能效表现。 这一合作的焦点在于，针对三星即将推出的 2nm工艺技术 ，对Arm的Cortex-A和Cortex-X通用CPU内核进行优化。尽管双方并未透露是否特别针对三星预计在2025年推出的SF2生产节点或2026年推出的SF2P制造工艺进行定制，但这一合作将为双方带来深远影响。 Arm和三星表示，他们将为广泛的应用场景定制Cortex-A和Cortex-X内核，这些应用场景包括但不限于 下一代数据中心和基础设施定制芯片 、 智能手机 以及各种 基于小芯片的解决方案 ，这些解决方案对高性能通用CPU内核的需求日益增长。 Arm客户业务高级副总裁兼总经理Chris Bergey表示：“在最新的三星工艺节点上优化Cortex-X和Cortex-A处理器，凸显了我们与三星共同重塑 移动计 算可能性的愿景。我们期待继续突破界限，以满足AI时代对性能和效率不断提升的需求。” 三星代工部门执行副总裁兼代工厂负责人 Jongwook Kye 表示：“随着我们步入 AI 时代，我们很高兴扩展与 Arm 的合作伙伴关系，交付下一代 Cortex-X CPU，使我们的共同客户能够创造创新产品。三星和 Arm 多年来建立了坚实的基础，这种前所未有的深度设计技术协同优化，使其取得了突破性的成就，提供了使用最新 GAA 工艺节点的最新 Cortex-CPU。” 此次合作意味着， Arm和三星的客户将能够根据自身需求，将经过三星2nm工艺优化的Cortex-A或Cortex-X内核授权给他们的定制设计 。这将极大地简化开发过程，并加快产品上市时间。未来有望看到三星制造的2nm设计广泛应用于数据中心和相邻领域。然而，目前双方尚未透露何时能为共同客户提供合作的首批成果。 据相关资料获悉， GAA 是目前业界公认的下一代技术 ，相比 FinFET 进一步改进了半导体晶体管的结构，使栅极可以接触到晶体管的所有四面，而不是目前 FinFET 工艺的三面结构，所以说 GAA 结构可以比 FinFET 工艺更精确地控制电流。 也就是说，与传统的FinFET晶体管相比，基于 GAA纳米片的晶体管具有更高的灵活性 ，可以通过多种方式进行调整，以实现 性能最大化 、 功耗优化 和/或 晶体管密度最大 化。 尽管Arm的Cortex-A和Cortex-X内核在架构上相似，但 Cortex-X系列在性能优化方面更为突 出 ，使其能够运行得更快。在未来几年中，随着Arm和三星在设计技术协同优化（DTCO）方面的深入合作，这些内核有望获得显著的性能提升。 免责声明：文章内容由微电子制造综合整理，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月—苏州 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖