美光公司近日宣布，专为数据中心和AI级GPU设计的HBM3E内存，已经开始批量生产。 这款HBM3E内存尤其受到英伟达的，将被用于其即将推出的H200产品。据悉，H200计划在今年第二季度发布，并将配备六款HBM3E内存芯片。此外，美光还计划在今年3月的英伟达GTC会议上，详细介绍其即将推出的36GB HBM3E芯片。 相比于普通的HBM3， HBM3E的内存带宽 有了显著的提升，从1TB/s增加到了 1.2TB/s ，尽管提升幅度看似不大，但实际上对于性能的影响是明显的。此外，HBM3E还将每个芯片的 最大容量 提升到了 36GB 。尽管美光为英伟达H200提供的HBM3E每个芯片容量为24GB，与HBM3的最大容量相当，但仍然表现出了其强大的性能。这些芯片还支持 8个高堆栈 ，尽管理论上HBM3E可以支持的最大堆栈数为12个。 美光公司还声称，其HBM3E内存的 功耗 比竞争对手三星和SK海力士 低30% 。后者也有自己的HBM3E实现，但据美光称，其功耗较高。 尽管美光并未明确表示是否为英伟达H200的唯一HBM3E供应商，但考虑到英伟达对AI GPU的巨大需求，美光 可能并非唯一供应商 。据报道，英伟达已向美光和SK海力士预购了价值13亿美元的HBM3E内存。SK海力士的内存带宽为1.15TB/s，低于美光的HBM3E，且功耗较高，但未来考虑到市场需求，英伟达或许会做不一样的选择。 虽然美光不能声称其HBM3E是速度最快的，因为三星的Shinebolt HBM3E内存带宽额定为1.225TB/s，但美光至少可以自豪地宣称自己是 第一个实现量产 的公司。三星和SK海力士尚未表示他们已经实现了量产，从这个角度来看，美光在这个方面暂时领先。 免责声明：文章内容由微电子制造综合整理，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月—苏州 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖