据韩媒报道，高频宽内存（HBM）的 良率 远 低于传统内存产品 ，难以通过英伟达的质量测试，这引发了市场对产量的担忧。 据Wccftech引述韩国媒体DealSite的报道，HBM厂商如美光（Micron）和SK海力士（SK Hynix）正面临良率低迷的困境，并为了在英伟达下一代AI GPU的质量测试中脱颖而出而激烈竞争。 HBM良率的高低主要受到其 堆叠架构复杂性 的影响，这涉及到多层次的内存结构和作为各层连接之用的直通硅晶穿孔（TSV）技术。这些复杂技术增加了制程缺陷的风险，可能导致良率低于设计较简单的内存产品。 此外，由于HBM只要有一个芯片存在缺陷，整个封装就需要被丢弃，因此产量相对较低。据报道， HBM的整体良率目前约为65% ，但如果厂商试图提高良率，产量将相应下降。 尽管面临挑战，美光已于2月26日宣布开始量产高频内存“HBM3E”，这将应用于英伟达最新的AI芯片“H200” Tensor Core图形处理器（GPU）。H200计划于2024年第二季度出货，以取代当前算力最强大的H100。 与此同时，SK海力士副社长金起台(Kim Ki-tae) 在2月21日的官方博客中表示，尽管外部不稳定因素仍存，但今年内存市场有望逐渐回暖。这主要得益于 全球大型科技客户产品需求的恢复 ，以及PC或智能手机等AI设备对人工智能应用的需求增长，这不仅有望提升HBM3E的销量，还可能增加DDR5、LPDDR5T等产品的需求。 金起台进一步指出，该公司今年的HBM产品已经全部售罄。尽管2024年才刚刚开始，但为了保持市场领先地位，公司已经开始为2025年做准备。 免责声明：文章内容由微电子制造综合，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月—苏州 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖