为了在高端AI芯片竞赛中急追猛赶，三星存储芯片紧急踩刹车，准备使用SK海力士所领导的高端芯片封装工艺技术。 微电子制造3月13日消息，据路透社引述消息人士报道称，三星电子将采用竞争对手SK海力士主导的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。 有分析师表示， 三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20% ，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70% 。 据消息人士透露，三星的HBM3系列尚未通过英伟达的供应协议资格。 HBM3和HBM3E作为最新版本的HBM芯片，能够帮助处理生成式AI的大量数据，市场需求旺盛。随着 AI 行业的火热，业界对于 HBM3 和 HBM3E 需求越来越高，三星必须尽快做出改变。 在生成式AI对高带宽内存（HBM）芯片的需求激增背景下， SK海力士、美光科技纷纷拿下英伟达高额订单 。其中，SK海力士率先成功转向MR-MUF技术，成为第一家向英伟达提供HBM3芯片的供应商，而 三星却在这场争夺交易中迟迟缺席 。 分析人士和业内观察人士普遍认为，三星电子之所以落后，其中一个重要原因在于其坚持采用 非导电薄膜（NCF）芯片技术 。相较之下，SK海力士则选择了更高端的封装工艺—— MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）方法，以有效解决NCF技术的缺陷。 知情人士称，三星已经发出了处理 MR-MUF 技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其 HBM 良率…… 采用 MUF 技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，因为这 相当于效仿了 SK 海力士 的行为。” 消息人士称， 三星还在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购 MUF 材料的事宜 ，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产，因为三星还需要进行大量测试。（备注：长濑产业株式会社是拥有近 200 年历史的日本十大商社之一，是全世界最大的专业化工商社。）消息人士还表示，三星计划在其 最新的 HBM 芯片中使用 NCF 和 MUF 技术 。 三星回应称，其内部开发的 NCF 技术是适用于 HBM 产品的“最佳解决方案”，并将用于其 HBM3E 芯片，后续“将按照计划推进 HBM3E 产品业务”，而英伟达和长濑拒绝置评。 免责声明：文章内容由微电子制造综合，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月—苏州 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖