高容X7R MLCC是怎样“炼”成的?
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我们已经知道,电容器是用来“装” 电 的“容器”。 但或许你不知道,最开始时,这个“装”电的“容器”真的是个瓶子! 这个瓶子被称为—— 莱顿瓶 。 它是 1746 年 在莱顿城发明的, 美国的本杰明 . 富兰克林还用莱顿瓶“装”到风筝从“天”上引下来的“电”。 它是一个瓶里瓶外分别贴有锡箔的玻璃瓶,瓶里的锡箔通过金属链跟金属棒连接,棒的上端是一个金属球。 后来人们发现: 只要两个金属板中间隔一层绝缘体就可以做成电容器装电,并不需要做成瓶子那样的结构。 最简单的电容器——平板电容器 很明显,莱顿瓶就是一个以瓶子玻璃为电介质,锡箔为电极的电容器,全部电荷是由玻璃本身储存着的。 在平板电容器结构中,电容器装电的能力与电介质材料类型、介质厚度和电极正对面积有关。 可是看出: 电介质 介电常数 越大,电容器容量越大; 正对电极面积越大,电容器容量越大;电介质厚度越薄,电容器容量越大; 电介质及高介电常数材料的寻找 自然界中的 云母片 首先被利用起来 但云母介电常数太低了,约为 6 ~ 7 , 能做到的容量很低,几乎都是“pF”级别。 后来是 二氧化钛 TiO2被大规模用于电容器制造 二氧化钛的介电常数较高,约100左右,电容器的容量可以做到“nF”级别了。 强介电材料 BaTiO3 的发现和使用 1942 年由美国、前苏联学者发现。 BaTi03具独特的ABO3型 钙钛矿结构 : 随着温度的变化,BaTIO3有一系列的相变过程,其单晶介电常数与温度引起的相变密切相关。 BaTIO3单晶介电常数大小与晶体轴方向有很大关系。 在室温时,它有很强的压电铁电性,并表现出较强各向异性。 当温度高于120℃时,BaTIO3晶体属于立方晶系,压电铁电性能消失。120℃称为居里温度。 在BaTIO3多晶体或陶瓷中,因晶胞主轴取向不同,其介电常数与温度的关系与单晶体的不同。 BaTIO3陶瓷介电常数很高,尤其是在120℃时,介电常数可高达10000。 使用BaTIO3陶瓷介质材料制作电容器,可以做到“μF”级! 但纯BaTIO3陶瓷制作的电容器,其容量温度特性曲线变化很大,不能满足EIA X7R特性要求。 X7R : -55 ℃ ~+125 ℃温度范围内,容量变化率不超过±15% 。 BaTiO3的掺杂改性 人们研究发现,向BaTiO3中掺入某些元素,其温度曲线会被展平,展宽,温度稳定性更好。 通过控制掺杂的成份比例,可获得符合X7R特性要求的电介质材料。 电容器的制造开始进入BaTiO3时代,人们大量使用BaTiO3掺杂改性,制造圆片电容器。 到了80年代,美国人用多层片式结构设计制造电容器——MLCC,可以很小的体积获得很大的电容量。 BaTiO3的应用让X7R MLCC成为量最大的系列产品。 在 MLCC 应用方面,各大MLCC厂家均对钛酸钡制备及掺杂改性做了大量的研究工作,形成各自独特的符合X7R特性要求的陶瓷介质材料。 所以,可以从容量温度曲线TCC曲线识别MLCC的生产厂家。 (TCC:Temperature Capacitance Characteristic)TCC曲线与钛酸钡制备控制工艺、掺杂改性配方及烧成工艺均有关。 细小、均匀及结构完整的晶粒,不但具有高的介电常数、低的介电损耗、高的耐电压强度,而且介电温度特性能更宽平。 晶粒大小对TCC曲线的影响 掺杂配方的影响 以BaTiO3为基,通过微量掺杂,掺入稀土元素如Y、La等,碱土元素Ca、Mg等,过渡金属元素Ni、Cr等可得到介电特性不同的陶瓷介质材料。 高介电常数和高温度稳定性,两者犹如鱼与熊掌不可兼得。使用高介电常数介质材料设计制造MLCC,单位电容量成本更低。应根据实际环境温度要求,在不同特性的MLCC选择符合要求的品种。 选购超大容量 X7R MLCC时,别让 X5R“ 忽悠”了! 超大容量 MLCC 一般是额定电压低,静电容量高,接近毫法(mF)级。 早年以银钯金属为内电极在制作大容量 MLCC 时,易出现分层问题,且成本很高,所以当下大容量 MLCC 均使用贱金属镍(Ni)作内电极与钛酸钡陶瓷匹配制作。 MLCC 芯片高温烧结时,即使在还原气氛(N2/H2)下,易于氧化的镍(Ni)仍然有相当数量被氧化,扩散进入钛酸钡陶瓷晶粒中。 镍(Ni)对钛酸钡陶瓷影响主要体现在“移峰”作用。 对低压高容 MLCC ,因使用薄介质(薄至 1μm),镍(Ni)氧化扩散很容易完全渗透陶瓷介质体,对 TCC 影响很大,高温时(85~125 ℃),容量下降很大,超过±15 % 的范围。 所以低压高容 MLCC 一般只能满足 X5R 特性,不能满足 X7R 特性。 极个别世界领先的 MLCC 厂家,如太阳诱电、 TDK ,在钛酸钡制备、掺杂改性和还原烧结控制上等方面做了高技术控制,能在 X7R 低压高容 MLCC 上取得技术垄断。 目前成熟量产低压高容 X7R 产品的极限容量如下: 尺寸 6.3V 10V 16V 25V 50V 0603 4.7μF 2.2μF 2.2μF 1μF 1μF 0805 10μF 10μF 10μF 4.7μF 2.2μF 1206 22μF 22μF 22μF 10μF 4.7μF 1210 47μF 47μF 22μF 22μF 10μF 标称容量超出上表所列示的,通常是 X5R 或 X7S 特性的产品。 超高容 X7R-MLCC 绝对是“千锤百炼”出来的高技术产品,是 MLCC 技术金字塔顶上的明珠。 官微 加入群聊