SK海力士已开始向客户量产第五代HBM“HBM3E”。 SK海力士19日宣布，将全球首次量产新型超高性能AI内存产品HBM3E，并从3月底开始供应。这距离该公司去年8月宣布开发HBM3E仅七个月。 SK海力士开发的HBM3E（图源：SK海力士）与传统 DRAM 相比，HBM 是一种垂直连接多个 DRAM 的存储器，可实现数据处理速度的创新提升。 HBM3E 是 HBM3 的扩展版本，是该产品的第五代产品。 SK海力士表示，“继HBM3之后，我们将率先向客户供应具有现有DRAM最高性能的HBM3E”，并补充说，“我们将通过成功量产HBM3E，继续保持我们在AI存储器市场的竞争优势。” 为了实现需要快速处理大量数据的AI系统，半导体封装的配置必须能够多连接大量的AI处理器和内存。 因此，全球大型科技公司正在增加对人工智能的投资，对人工智能半导体性能的要求不断提高，SK海力士预计HBM3E将成为满足这一需求的最佳产品。 该公司表示，HBM3E在AI内存所需的领域具有优良性能，包括速度和散热。它每秒处理高达 1.18 TB 的数据，相当于在一秒内处理 230 多部全高清（5GB）电影。 AI内存需要以极高的速度运行，因此有效的热控制是关键。为此，该公司在新产品中应用了先进的MR-MIF（Mass Reflow-Molded Underfill）工艺，与上一代产品相比， 散热性能提高了10% 。 MR-MUF是将半导体芯片堆叠起来，在空间之间注入液体形式的保护材料以保护芯片间电路的过程。该工艺比每次将芯片逐个堆叠时铺设薄膜型材料的方法更有效，并且被评估为有效散热。 特别是SK海力士的Advanced MR-MUF，与现有工艺相比，SK海力士的Advanced MR-MUF减少了对芯片的压力，并改善了对翘曲现象的控制，是确保HBM供应生态系统中稳定量产的关键。 SK海力士副总裁（负责HBM业务）Ryu Sung-soo表示：“我们进一步加强了我们的产品阵容，通过全球首次量产HBM3E来引领AI内存行业”，并补充说，“我们将基于我们多年来积累的成功HBM业务经验，通过加强客户关系，巩固我们作为‘全面AI内存提供商’的地位。” 免责声明：文章内容由微电子制造综合，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月—苏州 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖