ASML周三宣布，已开始向另一家客户交付第二台High-NA EUV光刻机。 ASML首席商务官Christophe Fouquet在财报电话会议上透露：“关于High-NA或0.55 NA EUV，我们已向客户交付了首套光刻设备，该设备目前正在紧锣密鼓的安装中。本月，我们又启动了第二套设备的发货，安装工作也将紧随其后展开。” 早在2023年底，ASML便开启了向英特尔的首台High-NA EUV光刻设备 Twinscan EXE：5000 的交付工作。 英特尔将借助该系统，深入探索此类机器的操作方式，并计划通过其英特尔 14A 制造工艺将其投入批量生产，虽然这一目标的实现还需数年时间。通过尽早开展对高数值孔径EUV工艺技术的研究，英特尔有望在未来几年内，为下一代光刻技术制定行业标准，从而转化为竞争优势。 Fouquet进一步表示：“在2月份的SPIE行业会议上，我们宣布了位于费尔德霍芬的ASML-Imec High-NA联合实验室所研发的High-NA光刻机正式亮相。目前，我们已经 成功捕获了首张分辨率低于10纳米的图像 ，并有望在接下来的数周内开始晶圆曝光工作。所有High-NA的客户都将能够利用该设备，尽早进行工艺开发。” 尽管台积电和Rapidus似乎并不急于将高数值孔径EUV光刻设备引入大规模生产，但考虑到未来的技术发展趋势，他们仍不可避免地需要采用这一技术。 ASML对这项技术的未来持乐观态度。作为全球最大的晶圆制造工具制造商，ASML正积极研发具备数字孔径高于0.7的投影光学元件的Hyper-NA和EUV光刻工具，力求在技术上实现新的突破。 Fouquet强调：“客户对我们的High-NA系统实验室表现出浓厚的兴趣，因为该系统将协助我们的逻辑和内存客户为将High-NA技术纳入其技术路线图做好充分准备。与0.33 NA系统相比，0.55 NA系统提供了更为精细的分辨率，在保持相似生产率的同时，晶体管密度近乎提升了三倍，从而有力支持了低于2nm的逻辑和低于10nm的DRAM节点的制造需求。” 目前，对于继首家客户后，第二家获得High-NA EUV光刻机的企业，ASML尚未透露详细信息。 免责声明：文章内容由微电子制造综合，发布/转载只作交流分享。如有异议请及时联系，谢谢。 推荐阅读 扫码了解 第二十六届集成电路制造年会暨供应链创新发展大会(CICD) 2024年5月22-24日—广州 第十六届中国集成电路封测产业链创新发展高峰论坛(CIPA) 2024年7月12-13日—苏州 第十二届(2024年)半导体设备与核心部件展示会(CSEAC) 2024年9月25-27日—无锡 进群交流 扫码添加管理员微信（备注“公司名称+产品”，否则不予通过）入群交流 拓宽人脉 认识更多行业大咖